珠海真空镀膜反光杯厂家服务为先「多图」

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镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响： 

基体温度：镀膜时基体温度直接影响膜层的结构、致密性和附着力，温度可用T/Tm值来确定，如；靶材为钛，其熔点为1670℃，基体温度应该选择TI/TM=0.15-0.25即 250-417℃才能得到理想的晶粒***。该方法是利用高能粒子轰击靶材，使得靶材原子或分子被溅射出来并沉积到衬底表面的一种工艺。考虑到沉积粒子受负偏压作用加速轰击工件还会引起温升，基体可选在250-300℃

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响

靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。

靶功率；磁控溅射本身粒子初始动能比较小，离化率低，电源功率越大，溅射出的粒子的初始能量越大，靶材溅射量也越大，沉积速率越快，膜层容易上厚度和硬度，同时工件温升也大，过高的功率会使沉积速率太快，粒子来不及表面迁移和扩散，易形成阴影效应，膜层会比较疏松，应力较大。通过镀膜可以改变基片的某些属性，如光学性能、电学性能、机械性能、化学性能、装饰性能等。

物理q相沉积法真空镀膜技术（由于这种方法基本上都是处于真空环境下进行的，因此称它们为真空镀膜技术）。真空镀膜技术是一种新颖的材料合成与加工的新技术，是表面工程技术领域的重要组成部分。

真空镀膜技术是使置待镀金属和被镀塑料制品位于真空室内，采用一定方法加热待镀材料，使金属蒸发或升华，金属蒸汽遇到冷的塑料制品表面凝聚成金属薄膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。

离子镀时，蒸发料粒子是以带电离子的形式在电场中沿着电力线方向运动，习而凡是有电场存在的部位，均能获得良好镀层，这比普通真空镀膜只能在直射向上获得镀层优越得多。因此，这种方法非常适合于镀复零件上的内孔、凹槽0窄缝。等其他方法难镀的部位。