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物理l气相沉积法主要有真空蒸镀、溅射和离子镀。

真空蒸镀：在真空中加热使金属、合金或化合物蒸发，然后凝结在基体表面上的方法叫真空蒸镀。

溅射：溅射是利用高速正离子轰击某一靶材（阴极），使靶材表面原子以一定能量逸出，后在工件表面沉积的过程。

离子镀：离子镀借助于一种惰性气体的辉光放电使欲镀金属或合金蒸发离子化，并在这些荷能离子轰击基体（工件）表面并同时沉积在其上形成镀膜。

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镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：

靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。

电子束蒸发源的优点为：①电子束轰击热源的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密度。磁控溅射：原理：磁控溅射法被认为是镀膜技术中***成熟的Zn0:A1薄膜制备方法，通常分为直流溅射（DC）和射频溅射（IC）两种。可以使高熔点（可高达3000°C以上）材料蒸发，并且能有较高的蒸发速度；②由于被蒸发材料是置于水冷堆锅内，因而可避免容器材料的蒸发，以及容器材料与蒸镀材料之间的反应，这对提高镀膜的纯度极为重要；③热量可直接加到蒸镀材料的表面，因而热，热传导和热辐射的损失少。