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真空镀膜之多弧离子镀 ：

电弧电流一般为几安至几百安,工作电压为10-25V,这时阴极表面的全部电流集中在一个或多个很小的部位 , 形成明亮的阴极弧斑 , 阴极弧斑的直径为0.01-100um, 并以高达100m/s的速度在阴极靶表面随机运动 , 也可以利用磁场控制阴极弧斑的运动。离子镀工艺则有所不同，虽然也是在真空罩内进行的，但这时镀膜过程是以电荷传递的形式来实现的。在阴极弧斑的前方是高密度的金属等离子体, 由于电子向阳极快速移动而使阴极斑点前方出现离子堆积即形成正空间电荷 , 从而在阴极附近形成极强的电场, 导致场电子发射以维持弧光放电。

从镀膜的原理及特点看，真空蒸镀工件不带电，真空条件下金属加热蒸发沉积到工件表面，沉积粒子的能量与蒸发时的温度对应。不反应溅射一般都用在镀金属膜层上，导电性能越好的材料，溅射速率越高。溅射的工件为阳极，靶为阴极，利用原子的溅射作用把靶材原子击出而沉积在工件表面上，沉积原子的能量由被溅射原子的能量分布决定。离子镀的工件为阴极，蒸发源为阳极，进入辉光放电空间的金属原子离子化后奔向工件，并在工件表面沉积成膜，沉积过程中离子对基片表面、膜层与基片的界面以及膜层本身都发生轰击作用，粒子的能量决定于阴极上所加的电压。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：

弧靶电流：弧靶电流越大，靶材蒸发量越大，靶面温度越高，冷却越差，弧靶产生的液滴大颗粒越多，膜层外观越差，膜层中的缺陷越多。二氧化硅Sio2的熔点、沸点较高（熔点1723℃，沸点2230℃）。本底漏率：本底漏率是指真空室在未加入气体单位之前本身的单位漏率，漏率越大，进入炉内的杂气就越多，不管真空度多高，这会严重影响镀膜过程中炉内气氛的纯度和工件表面的洁净度，会***膜层的结合力和膜层颜色的纯度。

镀膜工艺

镀膜工艺是用不同的材料在基片表面形成新表面的方法，镀膜方法有真空蒸发、真空溅射、化学还原、溶胶凝胶等。镀膜工艺镀膜工艺是用不同的材料在基片表面形成新表面的方法，镀膜方法有真空蒸发、真空溅射、化学还原、溶胶凝胶等。下面说一下阴极真空磁控溅射法，通过磁控溅射，在浮法玻璃的表面镀一层或多层金属、或金属化合物薄膜。通过镀膜可以改变基片的某些属性，如光学性能、电学性能、机械性能、化学性能、装饰性能等。