佛山高反射反光杯价格值得信赖 锦城镀膜公司

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真空镀膜之磁控溅射镀膜 ：

电子的运动路径不仅很长，而且被电磁场束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，在该区中电离出大量的离子用来轰击靶材，从而实现了磁控溅射沉积速率高的特点。随着碰撞次数的增加，电子的能量逐渐降低,同时逐步远离靶面。而离子镀则能均匀地绕镀到零件的背面和内孔中，带电离子则好比坐上了直升飞机，能够沿着规定的航线飞抵其活动半径范围内的任何地方。低能电子沿着磁力线来回振荡，待电子能量将耗尽时，在电场的作用下终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传给基片的能量很小，致使基片温升较低。由于磁极轴线处电场与磁场平行，电子将直接飞向基片。但是在磁控溅射装置中， 磁极轴线处离子密度很低， 所以这类电子很小，对基片温升作用不大。

物理l气相沉积（真空镀膜）基本方法 ：

从被沉积物质的气化方式看，真空蒸镀为电阻加热、电子束加热、感应加热、激光加热等；溅射的镀料原子不是靠加热方式蒸发，而是靠阴极溅射由靶材获得沉积原子；离子镀可以分为蒸发式或者溅射式，蒸发式为电阻加热、电子束加热、感应加热、激光加热等，溅射式由进入辉光放电空间的原子由气体提供，反应物沉积在基片上。这种镀膜剂在使用中，j基团会被紫外线分解，附着在上面的硅元素也随之脱落。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响

靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。

靶功率；磁控溅射本身粒子初始动能比较小，离化率低，电源功率越大，溅射出的粒子的初始能量越大，靶材溅射量也越大，沉积速率越快，膜层容易上厚度和硬度，同时工件温升也大，过高的功率会使沉积速率太快，粒子来不及表面迁移和扩散，易形成阴影效应，膜层会比较疏松，应力较大。在阴极弧斑的前方是高密度的金属等离子体,由于电子向阳极快速移动而使阴极斑点前方出现离子堆积即形成正空间电荷,从而在阴极附近形成极强的电场,导致场电子发射以维持弧光放电。

镀膜基片

镀膜基片有：浮法原片、切磨玻璃、钢化玻璃、彩釉玻璃、夹层玻璃等。引弧电极与阴极靶表面接触和离开的瞬间,阴极和阳极之间形成稳定的自持弧光放电。镀膜前基片必须用纯净水清洗，去除基片表面的灰尘、污垢、油腻等杂质，因为表面的杂质将会影响膜层的附着能力，或者影响镀膜玻璃的外观质量。如果基片表面存在胶印、笔印等不能清洗掉的杂质，在清洗之前必须用酒精将杂质擦去。